作者：東木褚 來源：華商韜略

　　上世紀七十年代，戰(zhàn)后快速發(fā)展的日本半導體產業(yè)遭遇到美國的“黑船叩關”，美國一方面揮舞貿易制裁的大棒，一方面力推IBM等巨頭攜高新技術殺進“江戶灣”。

　　市場被迫開放，行業(yè)被降維打擊的嚴峻情勢之下，日本秘密發(fā)起了反擊——

　　由通產省牽頭、五大日企協(xié)力，組成“半導體聯(lián)合艦隊”，以舉國模式突破核心技術的“卡脖子”難題，實現(xiàn)對美半導體的追趕與反超。

　　日本的“舉國體制”

　　1976年初的一天，東京千代田區(qū)紀尾井町，福田屋里人頭攢動。

　　這是一家創(chuàng)立于1939年的日式料理店，以美食和室內工藝設計著稱，米其林評級二星，也是日本政商兩界舉辦宴會的常選之地。

　　這天，宴會的主辦者是日本通產?。ìF(xiàn)在的經濟產業(yè)?。┩诵莨賳T根橋正人，以及在通產省工業(yè)技術院電氣試驗所任職的垂井康夫。日立、富士通、東芝、日本電氣和三菱電機等五家日本當時最大的計算機公司社長悉數(shù)到場。開席之前，根橋對垂井說：

　　“你今天的任務就是跟社長們喝酒，把他們都喝到位了?！?/p>

　　技術開發(fā)出身的垂井不勝酒力也不會應酬，為此還被根橋說了一通，“老弟，你這么板正，今后的工作可不好開展??！”

　　垂井后來才明白，根橋的意思是讓他和社長們打成一片，最好是能到稱兄道弟的程度，這樣才能給后續(xù)的項目合作打下情感基礎。

　　這個項目事關日本國運，它就是后來載入史冊的——“超大規(guī)模集成電路技術研發(fā)項目”（超LSI技術研究組合，LSI：Large Scale Integration，后文簡稱“超LSI”）。

　　其核心運作方式和目的是，由通產省負責，五大公司協(xié)力組成聯(lián)合研究所進行技術研發(fā)，追趕和超越美國IBM等巨頭的半導體技術，扭轉日本半導體的被動挨打局面。

　　用我們熟悉的話說，就是要以“舉國體制”集中力量辦大事。

　　大國在工業(yè)和科技領域以“舉國體制”“集中力量辦大事”是兵家常事。

　　比如，奧斯卡最佳影片《奧本海默》講的就是二戰(zhàn)期間美國集中力量研發(fā)原子彈的故事；而前蘇聯(lián)則曾以“動員”模式，橫跨政、軍、工、科、教發(fā)展基礎研究，取得1957年搶在美國之前成功發(fā)射世界第一顆人造衛(wèi)星“斯普特尼克1號”的標志性成果。

　　日本在這方面更可謂是爐火純青，而且形成一套成熟的操作體系。它們的“舉國體制”，核心是“產學官”的大合作，其官方稱為“有機開發(fā)體制”和“整合推進體制”，其中：

　　“有機開發(fā)體制”主攻縮短與先進國家的技術差距，由國家提供資金，國立科研機構、產業(yè)界、學術界合作攻關，優(yōu)先發(fā)展對國民經濟重要且緊急必要的先導性大型工業(yè)技術，特別是對研發(fā)周期長、投入大，民營企業(yè)無法獨立操作且“把握不住”的技術聯(lián)合攻關。

　　“整合推進體制”則著眼于科技體制改革，當日本認為自己已經在科技領域表現(xiàn)出創(chuàng)造性不足、行政及科研機構“躺平”的問題之時，將由國家牽頭明確責任，推進機構改革，以上述“產學官”合作模式，提升研發(fā)活力，實施大規(guī)模研發(fā)項目的立項與推進。

　　二戰(zhàn)后，日本通過引進美國技術改良創(chuàng)新、制定關稅壁壘、政府采購扶植、制定《電子工業(yè)振興臨時措施法》等措施，快速發(fā)展電子產業(yè)，令計算機行業(yè)不斷自主壯大，其進口依存度1960年代初期還有69%，但到1970年代初已只剩下21%了，而且出現(xiàn)了市場上的國產機型比外國貨還要賣得好的現(xiàn)象。

　　但這很快引起了美國的警惕。隨之而來的是，此前支持日本的美國一改往日，雙方的貿易摩擦頻繁發(fā)生。美國一方面從政府層面不斷施壓日本開放集成電路的市場，一方面在企業(yè)層面持續(xù)突破，以領先技術碾壓日本半導體行業(yè)。

　　1970年，IBM推出以大規(guī)模集成電路為基本硬件的370系列計算機，其技術與性能均完勝日本同行，令整個日本計算機行業(yè)被降維打擊。

　　為了追趕美國，日本砸下570億日元資助企業(yè)聯(lián)盟，但眼看快要趕上了，對手又是一個重磅炸彈，讓差距被進一步拉大。

　　1975年，日本剛剛開始著手生產1K DRAM存儲芯片的計算機，IBM卻對外宣布，已開始研發(fā)以1M DRAM超大規(guī)模集成電路芯片為基礎的第四代未來系統(tǒng)（Future System）計算機。

　　“超LSI項目”的幕后推動者、日本電子產業(yè)振興協(xié)會負責人、東京大學教授田中昭二后來回憶說，“除了通過國家項目，我們沒有任何辦法掌握這項技術?！?/p>

　　不僅如此，半導體市場開放后，日本的消費級民用電子產業(yè)也正面臨被美國蠶食的危機。

　　存亡時刻，日本再次啟動“舉國模式”，組成“半導體聯(lián)合艦隊”攻向太平洋，繼而也有了根橋和垂井要把社長們喝到位的局。

　　半導體“聯(lián)合艦隊”

　　“超LSI項目”聯(lián)合艦隊的核心是，由日立、富士通、東芝、日本電氣和三菱電機各自抽調20名技術骨干組成的“聯(lián)合研究所”，成員100人。

　　“艦隊司令”由通產省的人擔任，負責行政的，正是退休官員、具有豐富國家級項目管理經驗的產業(yè)老將根橋正人；負責技術統(tǒng)籌的就是垂井康夫，畢業(yè)于早稻田大學第一理工學院電氣工學專業(yè)的垂井，1958年就申請了晶體管相關的專利，是日本最早參加半導體開發(fā)工作的專家之一。

　　“超LSI項目”開工當天，項目全體技術人員站在設立于日本電氣公司中央研究室的聯(lián)合研究所門前，隆重其事地合影紀念這一時刻。當這些來自日本頂尖企業(yè)的工程師們意識到自己進入了“國家隊”，內心都泛起了波瀾，后來有人回憶說，很多人都生出一種感覺：

　　“全世界都在看著我們”。

　　要完成“超LSI”項目，技術攻關之外，各方利益平衡、保持科研人員的積極性至關重要。而兩位項目負責人則做到了堪稱完美的配合。

　　一位訪談過根橋正人的學者就曾如此評價：“根橋與垂井的個性、性格和能力類型很不相同，一個是老練的行政官員，擅交往、會做人的工作，一個是典型的工程技術專家，井井有條、一絲不茍，一心撲在技術上，對于超LSI項目來說，他們正好互為補充?！?/p>

　　“超LSI”項目的研究方向是聚焦“微細加工裝置開發(fā)”和“硅晶圓片”兩大主題，五大公司內部的研究重點，則放在64K以及256K DRAM的實用化研發(fā)。方向和重點之下，關鍵的難題是微細電子加工技術，即大幅提升芯片的集成度。

　　1976年3月，“超LSI”項目兵分三路，開始了對超大規(guī)模集成電路、計算機和信息系統(tǒng)研發(fā)等“卡脖子”難題的挑戰(zhàn)，具體分工是：垂井領導的聯(lián)合研究所，負責基礎及通用技術的研發(fā)；日立、三菱、富士通聯(lián)合建立的計算機綜合研究所，以及日本電氣和東芝聯(lián)合成立的日電東芝信息系統(tǒng)研究所，則主攻實用化技術的開發(fā)。

　　垂井負責的聯(lián)合研究所下轄六個研究室，前三個研究室的研究方向是微細電子加工技術，第四研究室攻關結晶技術，由工業(yè)技術研究院電子綜合研究所負責；第五研究室開發(fā)工藝技術，由三菱負責；第六研究室攻關測試、評價及產品技術，由日本電氣負責。

　　就在這一過程中，圍繞研究室的爭議出現(xiàn)了。

　　大家對后三個研究室的負責人選沒有爭議，但在前三個研究室的負責人選上卻爭執(zhí)不下，因為微電子加工技術屬于半導體的關鍵基礎性技術，五家公司都因此爭著要當負責人，進而讓自己更掌握核心。日立、富士通和東芝甚至“威脅”，不能如愿就退出聯(lián)合研究。

　　這背后，是五家公司在微細制造領域的研發(fā)進展各不相同，且都是身處同一行業(yè)的競爭對手。因此，處在領先地位的公司擔憂聯(lián)合攻關之后，會失去自身的技術優(yōu)勢，處在相對落后地位的公司遇到如此天賜良機，自然也不肯放過機會。

　　最終，根橋和垂井下場解決了危機，核心辦法是，讓已經取得領先地位的更占據(jù)主動，最終由日立、富士通和東芝各出一人分別負責前三個研究室。

　　多線并舉的項目，定期互通有無很重要。

　　為此，每隔一到兩周，垂井就會組織各研究室的研究員介紹各自的進展，而且，他還從辦公環(huán)境上都做了促進交流，增加協(xié)同和透明度的安排：

　　各研究室雖然相互隔開，但卻“故意”沒有裝門。

　　除了人力、智力上的聯(lián)合與技術上的開放共享，“超LSI”項目的研發(fā)投入也是政府與企業(yè)共擔。在項目實施的四年間，“超LSI”共計投入737億日元的研發(fā)經費，其中政府補貼291億，其余則有5家企業(yè)補齊。

　　這里面也有一個大的插曲，再次體現(xiàn)出這種聯(lián)合的不易：五家公司曾經希望政府能追加投入到1500億日元，覆蓋整個研發(fā)過程及后續(xù)計劃。

　　政府拒絕了這一要求后，五家公司一度對研究所態(tài)度冷淡，包括派出的人也都感受到這種變化進而士氣低落。尤其聯(lián)合研究所的100位工程師，也有人感慨：

　　“我們被公司遺棄了。”

　　關鍵時刻，與技術人員更有共鳴的垂井下場扭轉了局面，這次，他主打一個愛國牌：

　　“我們每天在一起工作，一起生活，為的是什么？我們的對手不是彼此，而是世界第一的IBM。所以，請大家不要再互相提防，互不溝通。歸根到底，我們是在同一個鍋里吃飯的?！?/p>

　　在垂井的感染下，來自不同公司的工程師再次擰成了一股繩，結成一條心，大家放棄自己的公司身份，以國家隊的責任和使命，一起向最終的目標邁進。

　　“和IBM并駕齊驅”

　　“超LSI”項目研發(fā)的另一挑戰(zhàn)是，如何讓項目順利的秘密進行，以免遭受美國的圍追堵截和反攻。

　　過程中還真出現(xiàn)了驚魂時刻。

　　期間，日本國內一家報紙刊登了第二研究室的新聞，有關可變矩陣光束的研究成果。高度關注著日本動向的美國人注意到了這篇新聞，并懷疑日本啟動了半導體產業(yè)的國家級項目，而且，這種懷疑還在美國被持續(xù)擴大。

　　這可嚇壞了垂井。

　　多番思量后，他決定“主動出擊”，辦法是主動交代，但不說實情。

　　垂井向根橋建議，在美國舉辦的國際電子器件大會（IEEE International Electron Devices Meeting）上發(fā)表一篇論文，介紹超LSI項目，但不提項目核心內容，只講基礎研究的部分，以此打消美國人的疑慮。

　　根橋轉而與五大公司商量對策。

　　五大公司一致認為：“最好連基礎研究也不要提，更不要提聯(lián)合研究所的事?！?/p>

　　1977年12月，美國華盛頓喜來登酒店，垂井康夫單刀赴會地出現(xiàn)在IEEE會議現(xiàn)場，并做了題目為“日本的LSI以及VLSI研究”主題演講。

　　特殊的背景，讓垂井的演講會場涌進了600多人，走廊里都站滿了擠不進來的參會者。在一眾美國同行的注視下，垂井看似精心準備得煞有其事，但所講內容卻都是過往研究的匯編，幾乎沒有什么干貨，忐忑中完成演講的結尾，他還一本正經地強調道：

　　“我們會分享更多的研究成果，讓日美一道探索微電子的未來吧！”

　　但美國方面還是沒有因此放松警惕。

　　會議一結束，垂井一位在貝爾實驗室工作的美國朋友就跑過來試探：

　　“聽說你們的政府在補貼企業(yè)，美國的法律可不允許，在這里，政府和企業(yè)是競爭關系。知道為什么美國的律師數(shù)量是日本的25倍嗎，競爭改變社會?！?/p>

　　項目成功之后，垂井更在項目回憶錄里寫道：“經過事后確認，我在美國的所到之處全程都有CIA人員‘陪同’，美國政府似乎在等我露出什么破綻?！?/p>

　　而這也是美國的慣用伎倆。幾十年后，法國阿爾斯通高管皮耶魯齊的《美國陷阱》和華為孟晚舟事件中，美國也都是類似的操作。

　　不過，垂井算是幸運者。他不但有驚無險地回到了日本，而且的確通過這一次主動出擊，轉移了美國人的視線，讓項目得以避開美國人的火力。

　　贏得時間和空間的日本人因此披星戴月地集中研發(fā)，持續(xù)突破。

　　三種電子束描繪裝置、電子束描繪軟件、高解析度掩膜及檢查裝置、硅晶圓含氧量及碳量分析技術等微細加工技術與設備、大口徑單晶硅培育技術、CAD設計技術等關鍵技術相繼取得突破，適用這些技術的邏輯、存儲元件制造技術也都應運而生之下，日本最終提前美國一年時間，研發(fā)出了256K DRAM，成為了這一關鍵領域的引領者。

　　在超LSI項目基礎性研究成果的共享機制下，參與項目的五大公司，也都實現(xiàn)了在半導體技術上的跨越式發(fā)展，進而掌握下一代計算機的核心技術，粉碎了美國的技術圍獵。

　　手握金剛鉆之后，日本公司開始在半導體產業(yè)發(fā)起反攻，并快速追趕，改寫了與美國之間的攻守關系。

　　到1986年，日本企業(yè)在全球半導體市場份額由26%上升到45%，美國半導體市場份額則從61%下降到43%。當年，全球排名前十的芯片制造商中有六家是日企。

　　日本電氣、東芝和日立更包攬了前三名。

　　遺憾的是，日本的技術突破最終沒能擺脫國家實力的較量與制約。

　　堪稱“珍珠港偷襲”式的日本半導體突圍，很快讓美國如夢方醒。技術打不贏，就立法來打，立法還打不贏，就想其他辦法來打。

　　1984年，美國推出《半導體芯片保護法》，明確提出政府對芯片產業(yè)的更大力度支持；1987年，修改《反托拉斯法》，明確美國政府也可以合法地補貼企業(yè)，然后效仿日本，聯(lián)合14家企業(yè)建立了半導體制造技術聯(lián)盟（即SEMATECH），主攻芯片制造工藝及其設備，從技術上對抗日本先進技術。

　　強大自身的同時，美國還舉起所謂法律武器。依據(jù)其《貿易法》301條款，美國半導體行業(yè)協(xié)會發(fā)起了對日本的起訴，逼迫日本于1986年簽署《日美半導體協(xié)定》，《協(xié)定》明確要求，提高美國半導體產品在日本市場上所占的比重至20%。

　　曾經領導日本成功反擊的垂井康夫因此倍感失望與憤怒，評價該《協(xié)定》是：

　　“載入史冊的不平等協(xié)議”。

　　正面狙擊日本的同時，美國還通過扶植諸如韓國半導體等辦法，繼續(xù)對日本半導體趕盡殺絕。到1990年代中期，日本半導體徹底陷入頹勢，至今未能東山再起。

　　多年后回首往事，垂井康夫仍對當時痛失好局耿耿于懷，但他的教訓總結卻頗引人深思：

　　“成為世界第一有時并不是好事，當年日本費盡力氣沖到第一的位置，結果成了靶子，被美國打壓后再也沒能翻身?！?/p>

　　值得關注的是，走過“失去的三十年”，近年來經濟增速復蘇、股市連創(chuàng)紀錄的日本又對半導體發(fā)起了沖鋒。

　　因為他們輸?shù)脤嵲诓桓市?，現(xiàn)任經濟產業(yè)省大臣齋藤健在日美簽下半導體協(xié)議時，還是通產省的一位年輕官員。

　　上個月，出席臺積電熊本工廠落成典禮的齋藤健對記者說：

　　“美國當年是如何瘋狂地削弱日本半導體產業(yè)競爭力的，我至今歷歷在目。”

　　2022年8月，八大日本公司成立半導體制造公司Rapidus，目標在2027年，實現(xiàn)2納米制程半導體的量產。2023年9月，Rapidus北海道第一工廠舉行開工儀式。

　　對于目前只能生產40納米制程半導體的日本來說，2納米的難度比當年“超LSI”項目大了不止一個量級，需要跨越數(shù)個障礙，包括：

　　能制造尖端產品的工廠；數(shù)千名熟練技術工人；最新一代的極紫外光刻機；從三星、臺積電嘴里爭奪客戶；5萬億日元的投入。

　　為此，Rapidus正在“團結”一切能拉攏的力量，連當年的“敵人”IBM都成了合作研發(fā)的伙伴。72歲的社長小池淳義曾在日立和西部數(shù)據(jù)從事芯片制造工作，他對上世紀八九十年代日本的印象是：

　　“我們認為自己能搞定一切?！?/p>

　　目前，日本政府承諾為Rapidus的2納米計劃補貼20億美元，如果想要更多的政府投入，他們必須拿出能推向市場的產品。作為新一任日本半導體國家隊的隊長，小池淳義只能想著如何贏：

　　“別人需要三個月的事情，我們花一個月來完成。因為這是日本最后的機會?！?